Ашкинази Леонид Александрович
Результаты в области термо- и вторичноэлектронных катодов за 1990-2018 годы

Lib.ru/Современная: [Регистрация] [Найти] [Рейтинги] [Обсуждения] [Новинки] [Помощь]
  • Комментарии: 1, последний от 24/07/2019.
  • © Copyright Ашкинази Леонид Александрович (leonid2047@gmail.com)
  • Размещен: 16/11/2007, изменен: 17/08/2019. 94k. Статистика.
  • Руководство: Техника
  • Скачать FB2
    •  Ваша оценка:

      
       Результаты в области термо- и вторичноэлектронных катодов за 1990-2018 годы
      
       Л.А.Ашкинази
      
       -----------------------------------------------------------------------------------------------
       Оксидный катод (ОК)
       Теория
       Исследования
       Технология
       Применение, параметры
       Особые условия
       Конференции IVESC
       WBa-катод
       Теория
       Исследования
       Конструкции
       Технология
       Применение, параметры
       Особые условия
       Конференции IVESC
       LaB6-катод
       Теория и исследования
       Конструкция и технология
       Применение, параметры
       Прочие термокатоды
       Металлы и сплавы
       Катоды с окислами
       Конференции IVESC
       Конструирование КПУ
       Измерения и контроль
       Экзотические катоды и антиэмиттеры
       Вторичноэмиссионные катоды
       Теория и исследования
       Применение, параметры
       Обзоры
       Литература
       ----------------------------------------------------------------------------------------
      
       Данный обзор является продолжением серии обзоров [258-262], охватывающих историю катодной науки и техники с 70-х годов прошлого века, и освещает результаты, полученные с 1990 года.
      
       Оксидный катод (ОК) и его модификации
      
       Теория
      
       Продолжена разработка моделей поведения ОК при ионизирующем излучении [1], при отравлении ОК [2], при вакуумно-термической обработке [3]. Разработке модели работы ОК посвящена работа [240]. В работе [264] утверждается, что в тройном оксиде должны быть нанометровые зародыши чистого BaO, которые могут рассматриваться как квантовые точки, а в местах контактов кристаллов с разными работами выхода образуются квантовые ямы с низкой работой выхода. В работе [265] расчитано влияние CaO на испарение Ba из ОК и WBa-катода, утверждается, что с ростом содержания CaO скорость испарения BaO возрастает. Небольшой обзор истории ОК дан в работе [280]. Попытка построения формальной модели срока службы проделана [284]. Механизмы, определяющие срок службы ОК и WBa-катодов обсуждаются в [287].
      
       Исследования
      
       Получены данные по неоднородности BN-катода (ОК с толстой губкой) [3], долговечности ОК в магнетроне [4]. В [243] по балансу эмиссионного охлаждения и омического разогрева определена проводимость при 780oC - 0,01 1/Ом.см. В работе [77] предложена модель работы ОК со Sc2O3 в покрытии: Sc2O3 восстанавливается активатором - Mg, затем Sc восстанавливает прослойку из Ba2SiO4, выделяя Ba (и уменьшая сопротивление катода, чем авторы пренебрегают). Авторы счтают, что частицы Sc2O3 сорбируют избыточный барий, уменьшая испарение Ba и уменьшая сопротивление катода. Экспериментальных данных по испарению и сопротивлению авторы не приводят, и подобное влияние Sc2O3 не очень реально, если учесть, что его мало в покрытии. В работе [268] исследовано влияние добавок окислов РЗМ на срок службы и испарение ОК, утверждается, что добавка окислов уменьшает электролиз BaO во время работы, поэтому срок службы увеличивается, а стойкость к отравлению падает. Состав прослойки между покрытием и керном (Ni+Mg+Al) исследован в работе [282], наличие активатора связывается с устойчивостью к отравлению в работе [283]. ОК с добавкой Ni исследовали в работе [289]. По мнению [291], в основе возобновления пленки на поверхности катодов лежит "синергетический механизм". После многолетнего перерыва появилась работа по молекулярно-напыленному ОК, исследовано влияние режима обработки на эмиссию [376].
      
       Технология
      
       Для ОК на металлической губке [241] показано, что при оптимизации диаметра частиц губки, пористости губки и запаса активного вещества возможно увеличение срока службы. В [242] предложено металлизовать окислы РЗМ и ЩЗМ рением. Обзор некоторых работ по ОК с добавкой металлических частиц сделан в [239]. В работе [113] подобран оптимальный режим карбонизации для молекулярно-напыленного ОК. В работе [112] исследованы причины брака ОК и обнаружено попадание посторонних веществ на поверхность катода. Технология изготовления молекулярно-напыленного ОК на подложке из Al2O3 толщиной 50 мкм предложена [116]. В работе [337] предложено при реставрации электронных приборов заменять ОК на ОК с повышенным запасом активного вещества, что увеличивает срок службы. В работе [272] предложен ОК с закрытой для уменьшения испарения боковой поверхностью, в работе [281] - плакированный материал керна. Утверждается, что плазменно-напыленный ОК имеет в 2 раза больший ток насыщения и в 10 раз меньшее испарение [327]. Прессование и спекание применено для изготовления BN-катода магнетрона [343]. В работах [352], [353] установлено, что диспергированный никель катализирует разложение карбонатов, и утверждается, что никель, растворенный в оксиде, уменьшает работу выхода. В работе [354] исследована электронная структура поверхности оксида бария, в работе [356] - кристаллов BaO, легированных Sc, в [361] - кристаллов BaO в WBa-катоде. Запатентован оригинальный BN-катод, в котором частицы Ni покрыты оксидами ЩЗМ [369].
      
       Применение, параметры
      
       По данным [5] ОК с окислами РЗМ в покрытии имеет при 700-800 oC и 1-2 A/см2 срок службы 8000 ч. По данным [77] тех же авторов, токоотбор при 800oС достигает 3 A/см2 (это выходит за уровень достигнутых данных по предыдущим обзорам) и при 800 oC и 2-3 A/см2 срок службы достигает при спаде тока 20 % 10.000-4.000 час. По данным [237] при испытаниях в режиме 830 oС 2 A/см2 2.000 ч. из окислов Sr, Y, Eu, Tb, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta в наибольшей степени стабилизирует эмиссию Eu2O3, причем важно распределение присадки в слое. При 2-3 A/см2 достигнут срок службы 10.000-4.000 ч., против 1.500-1.000 ч. для обычного ОК. В работах [267], [270] утверждается, что ОК в магнетроне может отравляться кислородом, выделяющемся при электронной бомбардировке катода и рекомендуется для борьбы с отравлением увеличивать температуру катода. По мнению [292], предельная долговечность сильно зависит от температуры катода. С катода на Ni-Ir-Re губке при 820 oС получена эмиссия 16 A/см2 в 10 мкс импульсе и скважности 100 и срок службы более 3000 ч. при непрерывном токоотборе 1 A/см2 [309]. При яркостной температуре 950 oС получена рекордная эмиссия 200 A/см2 [318]. От WBaScO-катода при 970 oС получена эмиссия 40 А/см2 и срок службы 5.000 ч. [358].
      
       Особые условия
      
       Термо- и вторичноэлектронная эмиссия ОК в парах Na рассмотрена в [135]. В [130] исследована проводимость ОК в разряде и обнаружено, что при большой пористости существенна фокусировка ионного потока в поры катода, а при малой - переход электронов в зону проводимости при рекомбинации ионов на поверхность катода. Для исключения отравления ОК в магнетроне кислородом, выделяющемся при бомбардировке катода, рекомендовано увеличить температуру катода [349].
      
       Конференции IVESC
      
       На конференции IVESC'96 были представлены следующие работы по оксидному катоду. В работе [166] сообщено о разработке многослойного тонкопленочного катода. Первый вариант - катод из чередующихся пленок Ni и тройного оксида, расположенных перпендикулярно эмиттирующей поверхности, которая представляет собой полосу шириной от 1 до 50 мкм (суммарная толщина всех металлических и оксидных слоев). При 850-900 oС получена эмиссия 10-15 А/см2 и срок службы 10.000 ч. Второй вариант - пленки WRe и Ва-Са-алюмината. При 1100oС получена эмиссия 20 А/см2 и срок службы 3000 ч. В работе [175] указаны перспективы применения ОК в кинескопах. В работе [212] сообщено об исследовании ОК с молекулярным покрытием для ВИС. Плотность токоотбора 0,3 А/см2, эффективность 20 мА/Вт. В работе [193] описана конструкция и технология четырехкаскадного монолитного усилителя на ВИС с такими катодами. Исследован ОК с добавками Sc2O3, In2O3 и одновременно Sc2O3 и In2O3 [200]. В работе [202] проанализирована термодинамика процессов в оксидном катоде и исследован процесс активации ОК. В работе [231] исследован ОК на основе оксалатов, активирующийся быстрее обычного и имеющий большую проводимость. При 830оС получена эмиссия 9 А/см2. В работе [216] приведены данные по процессу обезгаживания ОК - зависимости температуры и давления компонентов остаточной атмосферы от времени. В работе [230] утверждается, что фотоэмиссия ОК определяется кластерами Ba в покрытии, аналогично кластерам Ag в Ag-O-Cs фотокатодах.
      
       На конференции IVESC'98 были представлены следующие работы по оксидному катоду.
       В работе [251] исследован ОК с добавкой Sc2O3, но на керн Ni с присадками Mg и Si нанесена пленка W. В работе [252] показано, что ОК с игольчатыми частицами может иметь большую на порядки проводимость, чем катод с невытянутыми частицами (при исследованной форме порог перколяции - 5%).
      
       WBa-катод
      
       Теория
      
       Продолжено обсуждение проблем скандатного катода [96], [317]. Теоретический расчет энергий связи пленок BaO на W проделан [138]. Модель изменения состава поверхности WBa-катода в процессе работы построена [120], [133], [225]. Определена зависимость от времени работы катода доли поверхности, занятой той или иной структурой. Показано, что эмиссия обусловлена двумя структурами - монослоем Ba на окисленном вольфраме и кристаллами, аналогичными ОК, а их относительная роль зависит от срока службы. Рассмотрены процессы при отравлении. В работе [304] сделана попытка построения модели монослоев на поверхности WBa- и WBaSc-катодов, утверждается, что оптимальны покрытия Ba0,25O и Ba0,25Sc0,25O. В работах [365], [379] эмиссия связана с концентрацией кислородных вакансий в кристаллитах BaO, в работе [374] - с составом и структурой сплава WOs.
      
       Исследования
      
       Исследовано изменение структуры металлической губки в процессе эксплуатации [6], [10], по мнению [10] эмиссия падает из-за укрупнения пор и уменьшения испарения. Исследована неоднородность эмиссии катода с Y2O3 [7], [367]. Проведен анализ предшествующих публикаций по катодам с Sc2O3 [8]. Исследована зависимость концентрации примесей в алюминате бария-кальция от режима отжига [9]. Поведение W-Ba-катодов с губкой различной пористости и из зерен разного диаметра исследовано [110]. Утверждается, что при росте пористости увеличивается эмиссия при больших токовых нагрузках, авторы предлагают щелевые поры [248]. Показано, что структура плазменно-напыленной губки катода влияет на срок службы [244]. WBaOsRu- и WBaOsIr-катоды требуют более долгой предварительной обработки и менее стойки к отравлению, но имеют на 65 oC более низкую рабочую температуру, чем WBa-катод [250]. Получены данные по эмиссии катода с добавками различных окислов [12] (максимальная эмиссия катода с матрицей W+Sc2O3), по эмиссии катода с пленкой Re [13] (эмиссия и однородность возрастают). Показано, что работа выхода катода с покрытием ReOsW на 0,03 эВ меньше, чем с покрытием OsW [16], что катод с 3% Sc2O3 в пропитке имеет эмиссию в 20 раз больше WBa-катода и в 4 раза больше WBaOs-катода. В работе [76] проведено подробное исследование скандатного катода, в частности, исследовано испарение с локальных участков WBa(WSc2O3)-катода (покрытие W+Sc2O3 5%), а именно участков, богатых Sc. Авторы считают, что основная эмиссия исходит с BaO, видимо, частиц BaO, покрывающих частицы Sc2O3 и внедренных в W (т.к. пленка W+Sc2O3 5% покрывает катод), в отличие от пленки Ba на O, покрывающей W. Для оптимального покрытия, выполненного из чередующихся слоев Sc2O3 и BaO получена эмиссия, вдвое большая, чем с WBa(WSc2O3)-катода. Поскольку Sc2O3 - плохой проводник, частицы Sc2O3 должны быть малыми. В работе [80] исследованы процессы в WBa(W+Sc2O3)-катоде. Высказано мнение, что степень предшествующего окисления W слабо влияет на установившуюся эмиссию, т.к. при активации степень окисления нивелируется. Обращено внимание на возможную роль диффузии кислорода в W матрице к поверхности. В работе [18] приведены всесторонние данные по различным вариантам WBaOs-катодов (Os - покрытие). Исследованы термо- и вторичная эмиссия, состав поверхности, испарение и срок службы объемно- и поверхностно-осмированных катодов, а также содержащих пленку OsRe. Наименьшую скорость испарения имеет объемно-осмированный катод, наибольшую эмиссию - катод с пленкой Os, наибольший срок службы - непокрытый катод. Поведение пленок Ba и Sc на W исследовано в [115]. Если Ba напыляется на субмонослой Sc на W, то сначала пленка Ва образует монослой и лишь потом собирается в трехмерные образования, а на полном слое Sc пленка Ва сразу образует трехмерные образования. Краткий обзор параметров WBa катодов (работа выхода и неоднородность) приведен в [19]. В работе [134] показано, что работа выхода пленок Ва и О на W(100) зависит при низкой температуре от порядка напыления слоев Ва и О, но при нагреве эта зависимость исчезает. В работах [106][132] показано, что максимум эмиссии достигается при введении Sc в пленку, а не в губку или пропитку WBa-катода, при этом растет число эмиссионных центров. Пленки ВаО и Sc2O3 на W исследованы [329]. Установлено, что пропитанный катод имеет более однородную эмиссию, нежели прессованный [330]. Продолжена разработка метода ускоренных испытаний [144] и установлена связь изменения концентрации на поверхности WBaOs-катода со сроком службы. В работе [149] исследованы свойства, структура поверхности и механизм работы WBaScO-катода (Sc2O3 - 3% в пропитке). Получена функция распределения поверхности по работе выхода, на поверхности предполагается образование слоя, содержащего W, O, Ba, Sc. В работе [275] показано, что на поверхности катода Ва связан с О. Поверхность WBaScO-катода исследованы [279], [288], [370], предлагаются модели работы катода. Термополевая эмиссия WBaOs- и WBaScO-катодов исследована [294], WReBaScO-катода - [296]. Исследованы WBaScO-катод [300] и WBacO-катод [366] с различной пористостью губки. В работе [303] по ВАХ установлено сопротивление кристаллов на поверхности катода. Структура катода WBaHfO - исходная и ее изменение в процессе активирования - исследована в работе [323]. Испарение WBaIr-катода исследовано в [325]. Предложен метод теоретического расчета теплопроводности катода WBaHfO3 [328]. Исследованы эмиссия и испарение WRe-катода [383].
      
       Конструкции
      
       Для подавления испарения Ba с неэмиттирующей части поверхности WBaOs-катода [148] предложена завальцовка с одновременным пропусканием тока на боковой поверхности. В работе [223] дан обзор многоэмиттерных, устойчивых к термоциклам катодно-подогревательных узлов с WBa-катодами. Оптимизация тороидального подогревателя WBa-катода проделана [326].
      
       Технология
      
       Показано, что ускорение обезгаживания (если вакуум остается хорошим) не ухудшает эмиссию [14]. Стандартная технология катода описана в [95]. Получение губки путем спекания пасты усовершенствовано [246]. WBa-катод с напыленной пленкой W-WO3-Sc2O3 с соотношением компонентов пленки 1:1,5:0,5 предложен [142]. Краткий обзор истории, технологии и параметров WВа-катодов дан [147]. В работе [271] показано, что срок службы возрастает при увеличении однородности структуры. Методы сварки для WВа L-катодов (резервуарных) рассмотрены в [285]. В работе [311] приведены результаты оптимизации состава губки и пропитки катодов. В работе [324] предложено добавлять MgO для увеличения вторичной эмиссии. Предложена "лазерная модификация" поверхности катода [321] для уменьшения эмиссионной неоднородности. Установлена корреляция между дисперсностью W и плотностью губки [316]. Технология WBaScO-катода усовершенствована (промывка и прогрев) [358] и при 970 oС получена эмиссия 40 А/см2 и срок службы 5.000 ч. Исследована технология напыления пленки Os [368] и ее влияние [384].
      
       Применение, параметры
      
       Показано, что работа выхода катода с покрытием ReOsW на 0,03 эВ меньше, чем с покрытием OsW [16], что катод с 3% Sc2O3 в пропитке имеет эмиссию в 20 раз больше WBa-катода и в 4 раза больше WBaOs-катода. Покрытие Sc позволяет уменьшить рабочую температуру на 200oC по сравнению с лучшими WBa-катодами и на 100 oC по сравнению с WBaOsRu-катодами. Скандатный катод обеспечивает при 1000 oC и токе 5-10 A/см2 срок службы не менее 10.000-5.000 ч. [17], причем если такой катод покрыть Os, его эмиссия уменьшится до эмиссии WBaOs-катода. Для WBa - катода с пленкой W+Sc2O3 получен ток 10 А/см2 при 900 oC, срок службы 18.000 ч. при 900 oC и отравляющее давление остаточных газов 2.10-10 торр (на порядок больше, чем для WBaOs - катода) [97]. Исследованы оба фактора ограничения срока службы WBaOs-катода - расход активного вещества и деградация поверхности (подложки для эмиттирующей структуры). При температуре менее 1180 oC (соответственно, токоотборе 20 А/см2 и сроке службы 5000 ч.) лимитирует испарение, при большей температуре - деградация. При 50-20-10-5-2 А/см2 достижим строк службы 0,3-5-20-50-200 тыс. ч. соответственно [98]. По мнению [99] для WBaOs - катодов может быть достигнут срок службы 100.000 ч. при токоотборе 30 А/см2 и 1100 oC. Для Wвa-катода получен срок службы 40.000-67.000 ч. при токоотборе 5 А/см2 [245]. В [100] указано, что в долговечных ЛБВ WBa-катод при 1070 oC и 1 А/см2 работоспособен 10.000 ч., WBaOs - катод при 1010 oC и 2 А/см2 - 240.000 ч. Информация об эксплуатации WBa-катода с резервуаром при 1000 oC и токоотборе 30 A/см2 содержится в [20]. В [84] предложен катод с канавками. Вещество, распыляемое при бомбардировке в газовом разряде, перепыляется на другую сторону канавки, и срок службы возрастает. Исследован состав поверхности WBaOs-катода в зависимости от температуры и времени работы. Содержание W начинает увеличиваться при 1150 oC через 1000 ч., при 1200 oC через 500 ч. [68]. В работе [74] исследована работа ряда WBa-катодов с токоотборами 2 A/см2 в течение 20.000 ч. Для WBa-катода дрейф характеристической температуры составил при 1075 oC - 130 oC, для WBaOs и WOsBa (губка WOs) при 1010-1040 oC - 30-40 oC соответственно. В работе [79] исследован WBaIr-катод (Ir - покрытие). При токоотборе 7,5 A/см2, температуре 1000 oC и сроке службы 10.000 ч. спад эмиссии составил около 10 %. Напряжение пробоя вакуумного зазора оказалось в 2,5 раза больше, чем для обычного оксидного катода. В работе [78] исследована работа WOsBa-катода (губка WOs) при токоотборе 0,75 A/см2 и температуре до 1020 oC (спад эмиссии в течение 40.000 ч. отсутствовал) и 2 A/см2. Во втором случае спад эмиссии составил при 1000-1050 oC 4 % за 40.000 ч., при 1100-1150oC - 10-20 % за 40.000 ч., при 1200-1250 oC - 20 % за 10.000-5.000 ч. Показано, что с точки зрения времени "выработки запаса температуры" (от температуры перегиба накальной характеристики до рабочей точки) при фиксированном токе существует оптимальная температура (например, для 2 A/см2 - 1000 oС). Связь состава поверхности WBaOs-катода и работы выхода исследована [105] и показано, что для активирования достаточно 20 мин. при 1100 oС. Подтверждено, что падение эмиссии WBaOs-катода связано с образованием слоя OsW2 на поверхности и получен срок службы при 1050-1200 oС 10.000-1000 ч. соответственно [125]. Покрытие WBa-катода W пленкой с регулярными отверстиями (щелями) для уменьшения скорости испарения предложено [109], причем W пленка снаружи покрыта Os. Такой катод имеет эмиссию, как у WBaOs-катода - 25 А/см2 при 1160 oС и срок службы 1000 ч. при 1200oС [108]. Показано, что для осмированного металлопористого катода оптимальное содержание Re в WRe губке - 50-60 %, а оптимальная концентрация Ru в OsRu покрытии 25-30 %, при этом срок службы увеличивается в 3 раза по сравнению с BaOs-катодом [104]. Показано, что места концентрации CaO на поверхности WBa-катода по данным рентгеноструктурного анализа совпадают с местами концентрации BaO, но Оже-спектроскопия показывает BaO. Поэтому кристаллы CaO покрыты BaO [122], причем при обогащении поверхности катода CaO эмиссия снижается [131]. Краткий обзор истории, технологии и параметров WВа-катодов дан [147]. В работе [274] получена эмиссия 12 A/см2 при 1350 oС с катода диаметром 100 мм. В работе [276] для катода с двухслойной губкой WOs получен при эмиссии 30 A/см2 срок службы 800 ч. В работе [277] проверено, как колебания температуры W-Sc2O3 катода отражаются на его эмиссии. Для W- Sc2O3 катода со сферическими частицами получена эмиссия 52 A/см2 при 900 oС [290]. Изготовлены и исследованы WBa(W+Sc2O3)-катоды с частицами Sc2O3 размером 0,070-0,6 мкм. Для катода с частицами 0,3 мкм (4,8 % от W) получена эмиссия 40- 170 A/см2 при 850-1050 oС и срок службы 11000 час при 1050 oС и 50 A/см2 [302]. При яркостной температуре 1340 oС получена рекордная эмиссия 300 A/см2 [318]. WBaOs-катод при температуре 1200 oС испытан с токоотбором 114 A/см2 в импульсном режиме с длительностью импульса 10 мкс и периодом 20 мс [348]. Эмиссия и скорость испарения ряда модификаций WBa-катода исследованы [364], получена эмиссия 72 A/см2 при яркостной температуре 900 oС. Авторы [375] добавили в импрегнированный катод нанопорошки углерода двух разных марок и сняли недокальные характеристики, плотность тока 1-20 А/см2 получена при 900-1150 oCярк. В работе [377] предложена конструкция WBa-катода с танталовыми шайбами для автоэмиссионного запуска. В работе [378] продолжено исследование роли формы пор на работу WBa-катода, утверждается, что щелевые поры лучше. В работе [381] описана конструкция катодных узлов ускорителей, в основном с WBa-катодами диаметром от 6 мм до 110 мм.
      
       Обзор данных WBa-катодов и их модификаций по состоянию на 1994 год дан [340].
      
       Особые условия
      
       Получены данные по отравлению WBaOs-катода разными газами [11] (при 1160-1210 oC отравляющее давление, например, O2 - 10-8-3.10-8 торр, CO2 - 10-7-3.10-7 торр), по отравлению WBa-катода при 1100 oC и WBaOs-катода при 1060 oC [81] (O2 при 5.10-8 торр уменьшает эмиссию на 50 % за 15 мин и 50% за 15 мин, CH4 при 5.10-7 торр - на 10 % за 10 мин и 2% за 10 мин, CO2 при 5.10-7 торр на 15 % за 10 мин и на 60 % за 10 мин соответственно; данные сомнительны, т. к. для He, Ar, N2 получено активирование, для CO - реверсивное поведение). Попытка оценить влияние ионной бомбардировки на срок службы WBaIr-катода сделана [249]. В работе [75] обращено внимание на то, что восстановление эмиссии WBa-скандатного катода после ионной бомбардировки является неполным, что вызвано удалением при бомбардировке Sc и низкой диффузией его в катоде. Для ускорения диффузии предложено вводить активаторы диффузии в виде соединений со Sc - Re, Zr, Hf. С другой стороны, указано, что напыление на WBa-катод пленки W+Sc2O3 усложняет технологию и лучше было бы вводить Sc в покрытие в виде, например, ScH2, но при этом Sc удаляется при пропитке. Для уменьшения потерь Sc предложено Sc окислять. В работе [21] приведены данные по изменению работы выхода и поверхностных концентраций при отравлении различными газами и реактивации. Показано, что окисление носит многостадийный характер, определены температуры реактивации. В работе [308] приведены результаты прогнозирования срока службы при применении ускоренных испытаний.
      
       Конференции IVESC
      
       На конференции IVESC'96 были представлены следующие работы по WBa-катоду. В работе [167] сообщено о разработке и исследовании долговечного WBa-полого катода для работы в газовом разряде. В работе [168] приведены данные WBaIr-катода с губкой, имеющей верхний слой из мелкодисперсных частиц. Катод несколько более устойчив к анодным эффектам и ионной бомбардировке. В работе [169] сообщено об исследовании содержания Ва и О в поверхностных слоях WBa-катода - активного и отравленного. В работе [170] сообщено о разработке WBa-Sc2О3-катода с пленкой, нанесенной методом лазерного испарения. При 830-1060 oС достигнута эмиссия 32-400 А/см2. Срок службы при 1060 oС около 4000 ч. Дан обзор результатов в области скандатных катодов. В работе [171] предложена модель WBaSc2О3-катода и вычислена его работа выхода. В работах [172,195] исследована термохимия системы ВаО-Sc2О3-WO3 и эмиссия составов в системе ВаО-Sc2O3-WO3 с поверхностной пленкой ВаО. В работе [173] исследована модельная система для WBaSc2О3-катода - пленка Sc, Ba и О на W (001). Найдены условия достижения минимальной работы выхода. В работе [174] приведены данные исследования WBa-скандатных катодов, изготовленных по разной технологии - с напылением пленок Мо и Sc, окислов Мо и Sc, Мо и окисла Sc. Исследован состав поверхности и ход изменения эмиссии при нагреве. В работе [175] указаны перспективы применения WBa-скандатных катодов в кинескопах. В работе [177] сообщено об опыте эксплуатации WOSBa-катодов в космических ЛБВ в 1985 г. В работе [186] сообщено об использовании напыленных пленок Hf для создания эмиссионного рельефа на поверхности WBa-катода. Плотность тока с зоны пленки не превышает 1 мA/см2 при 900-1200 oС в течение 1500 ч. работы катода. В работах [187] предлагается WBa-катод стоимостью 3 доллара для кинескопов с эмиттирующей поверхностью 0,8х0,8 мм, имеющий при 1000 oС мощность накала 0,9 Вт. В работах [188, 190] сообщено о разработке крупногабаритного (100 мм) WBa-катода со сроком службы 10.000 ч. при 1050 oС и эмиссии 10 А/см2 и неоднородности эмиссии 10 % и контрасте с неэмиттирующей зоной 1000. Термохимия WBaSc2О3-катода рассмотрена в работе [196]. Исследована область с высоким содержанием Ва системы ВаО-Sc2O3-Al2O3. В работе [197] исследованы структура и состав поверхности WSc2О3Ва-катода с Re-пленкой. В работе [198] исследована десорбция Ar из напыленных OsRu-пленок. Исследовано влияние пленок Au, Pt, Cu, Fe и Ni на WBa- и WOsBa-катоды [199]. В работе [203] построена модель поверхности WBa-катода и определена зависимость от времени работы катода доли поверхности, занятой той или иной структурой. Данные о работе выхода и энергии сорбции пленок Ва-О на W, Re, Os, Ir, и сплавах W с различным содержанием Os и Jr, а также на гранях W и Ru приведены в работе [204]. В работе [205] приведены результаты испытаний CPD (controlled porosity dispenser) - катодов, представляющих из себя WBa-катод с напыленной сверху пленкой с регулярно расположенными отверстиями. Вариант с пленкой W-Sc2O3 имеет в диапазоне 850-1050 oС работу выхода ниже, чем у WBaOs-катода. О разработке WOsBa-катода большой долговечности (100.000 ч) сообщено в работе [206]. Катоды испытаны при 1000 oС и эмиссии 1,5 А/см2 в течение 60.000 ч. В работе [207] сообщено об исследовании работы WBa-катода с резервуаром (L-катода). При 1100 oС эмиссия составляет 10 А/см2, а срок службы при 1250 oС - 5000 ч. В работе [208] сообщено о испытаниях WBa-катодов с эмиссией 1,2 и 4 А/см2, ведущихся с 1980 г. В работе [209] сообщено об испытаниях WBa-катодов (L-катодов) с эмиссией 2 А/см2 при 1100 oС и 4 А/см2 при 1150 oС. Срок службы превышает 45.000 ч. В работе [211] сообщено об использовании WBaIr-катодов в ЛБВ. В работе [214] приведены данные по работе WBaOs-катодов в течение 100.000 ч при 1100 oС и токоотборе 1,5-2 А/см2. В работе [215] исследованы топография и состав поверхности WBa-катодов. В [219] предложена конструкция спирального прямонакального WBa-катода с расположенной по оси спирали втулкой из того же материала. Предполагалось, что испарение с втулки продлит срок службы катода. В работе [222] приведены данные испытаний WBaOs-катода при температурах 960-1150 oС и токоотборах 0,6-4 А/см2 в течение 90 тыс.ч. Прогнозируется срок службы: при 2 А/см2 - 200 тыс.ч., при 3 А/см2 - 50 тыс.ч., при 10 А/см2 - 2 тыс.ч. В работе [331] от WBaSc2О3-катода получена эмиссия 170 А/см2 при яркостной температуре 1100 oС.
      
       На конференции IVESC'98 были представлены следующие работы по WBa-катоду.
       В работе [253] от катода WBaOsRu с губкой пористостью 18 % и пропиткой Ba:Ca:Al 4:1:1 получен срок службы 200.000 ч. при токоотборе 2 А/см2. В работе [254] на катод с пропиткой Ba:Ca:Al:Sc 4:1:1:1 напыляли W (8, 16, 40 нм), потом Sc2O3 (2, 4, 10 нм), лучшие параметры получены при тонких слоях - эмиссия 80 А/см2 при 1030 oС. В работе [255] исследована зависимость плотности матрицы, размера пор и их распределения от параметров прессования. В работе [257] показано, что параметры WBaOs-катода с резервуаром (L-катода) улучшаются, если губку делать из монодисперсного порошка.
      
       LaB6-катод
      
       Теория и исследования
      
       Исследована теоретическая возможность защиты катода от влияния углерода [23], экспериментально исследованы механические свойства монокристалла при локальном нагружении [24], функция распределения термоэлектронов [25] (обнаружена немаксвелловость), работа выхода пленок LaYB6 [27], [28] (показано, что непосредственно после активирования она меньше, чем у LaB6). Проанализирована неравномерность термоэмиссии и ее связь с пятнистостью эмиттера для LaB6 (100) и LaB6-W-Ni [26]. Показано, что эмиссия систем LaCeB6 и LaNdB6 меньше, чем LaB6, LaPrB6 равна LaB6, скорости испарения равны LaB6, но срок службы грани (100) больше, чем LaB6 из-за большего совершенства структуры (и, возможно, более медленной перестройки поверхности [82]). Данные по излучению и эмиссии LaB6 приведены в [143]. Исследование тонких пленок гексаборидов продолжено в [140]. В [103] обращено внимание на возможность влияния на катод ионной бомбардировки ионизированными продуктами испарения самого катода. Параметры LuB12 исследованы [342]. Коэффициент излучения изучен [359].
      
       Конструкция и технология
      
       Описаны конструкция и параметры узла с подогревателем и конструкционными элементами из углерода [30], [31]. Для изготовления LaB6-катода предложено применять метод самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (горения смеси La2O3, TiO2, B, Ti, Si). Получена матрица NiAl с включениями LaB6, TiB2, термоэмиссия не определялась [93].
      
       Применение, параметры
      
       Получена эмиссия 30 A/см2 в импульсе 25 мкс с катода площадью 2,85 см2, обнаружена паразитная эмиссия с Mo держателей, LaB6 и подогреватель изолирован от перепылений графитом [29]. Упомянуто о применении LaB6-катода в ЛОВ субмиллиметрового диапазона [32]. Рекламируются торцевые КПУ на основе LaB6 и углерода с диаметром эмиттера 9-120 мм и плотностью тока до 30 A/см2 и полным током до 2500 A [22]. В работе [119] исследована зависимость работы толстопленочных газоразрядных катодов на основе боридов лантана и никеля в зависимости от технологии изготовления. В [141] сообщается о разработке мощной (100 кВт) электронной пушки с La6-катодом. В [217] описан катодно-подогревательный узел с LaB6-катодом диаметром 12 мм, обеспечивающим токоотбор 20 А/см2 при 1600 оС в импульсе 250 нс.
      
       Прочие термокатоды
      
       Металлы и сплавы
      
       Показано, что IrTh-катод обеспечивает ту же эмиссию, что WTh и W при меньшей температуре и поэтому качество пучка получается выше [35]. Исследовано взаимодействие сплава PdBa с Ta, W, Mo [34]. Предложено изготавливать W-катод по пленочной технологии [94]. Тонкие перемычки из W пленки толщиной 1 мкм, конечно, имеют малый срок службы, но на одной подложке их формируется 104 шт., и по мере выхода их из строя подложка перемещается так, чтобы токоотбор осуществлялся со следующего катода. Катод из Re2Th, втертого в поры Re губки на W подложке описан [118]. В [218] теоретически исследован механизм диффузии в металлосплавном катоде на примере WTh. Наконец-то в западных изданиях опубликованы полученные более четверти века назад в России данные по катодам Ir-РЗМ [154], [155], [220] (230 А/см2 в импульсном режиме). Обзор данных по этим катодам сделан [333]. В работе [347] намечены пути развития катодов с использованием нанопорошков.
      
       Катоды с окислами
      
       Исследованы реакции, протекающие на всех стадиях взаимодействия Ta+Y2O3 [33]. Показано, что PdBa-катод, ионно-имплантированный Ba, увеличивает эмиссию при окислении O2 до 0,3 A/см2 при 800 oC [36]. Эмиссия окисленной W губки в потоке Cs исследована [101], получена работа выхода 1,03 эВ. В работе [238] от катода Mo+Re2O3 получена при 1350-1400 oС эмиссия до 0,37 А/см2. В работе [111] исследованы газоразрядные пленочные катоды на основа борида Ni и легкоплавкого стекла. Показано, что в зависимости от состава стекла на поверхности может быть сформирован слой с преобладанием Pb, B, Si. С точки зрения вторичной эмиссии оптимально преобладание Pb. Механизм эмиссии окисленных сплавов W, Ta, Nb c Hf, Zr в потоке Cs рассмотрен [127]. В [137] исследована эрозия термокатода с заглубленной эмиссионной вставкой при давлении до 5 атм. Поверхность Mo+La2O3-катода исследована в [278] и показано, что состав La2O3 близок к стехиометрическому, в работе [295] исследовано влияние размера частиц La2O3 на эмиссию. В работе [355] исследован катод W+Sc2O3 и утверждается, что при оптимальной порстости может быть получена плотность тока 100 А/см2. В работе [346] утверждается, что при разработке и в производстве композиционных катодов необходимо использовать современные методы диагностики и оборудование. Показано, что на поверхности PdBa-катода имеются кристаллы BaO с вакансиями кислорода [385].
      
       Конференции IVESC
      
       В области катодов этой группы на конференции IVESC'96 были представлены следующие работы. В работе [176] сообщено об исследованиях PtBa и PdBa металлосплавных катодов для мощных электровакуумных приборов. В работе [213] приведены данные по вторичной электронной эмиссии, составу поверхности и способу активации катодов PdBa и PtBa. В работе [178] сообщено об использовании миниатюрного (диаметром 0,5 мм) прямонакального IrCe-катода в электронной пушке. Время разогрева катода - 1 с, срок службы 10.000 ч., локальная плотность тока 50 А/см2 температура катода 1700oС, мощность накала 1,5 Вт. В работе [189] описан металлосплавной катод с покрытием IrLa или ReTh. Формат катода - спираль. При 1100 oC плотность тока 2-3 А/см2 и срок службы 3000-6000 ч. В работе [184] сообщено об определении распределения площади по работе выхода LaB6-катода. Об исследовании распределения эмиттирующих зон по поверхности W катода сообщено в работе [192].
      
       Конструирование КПУ
      
       Проделаны расчеты тепловых полей [41], в том числе для прямонакального [42] и цилиндрического [163] катода, расчет деформаций КПУ [38], [320], тепловой расчет КПУ с залитым подогревателем [37], [39], включая процесс разогрева [40]. Рекламируются углеродные подогреватели [43] и описаны различные методы их изготовления [87]. Изготовлен и испытан оригинальный подогреватель в виде пленки углерода на BN-подложке [66]. Этот же подогреватель спечен с катодом сплавом NiW или смесью Ni и W [86]. Подогреватель характеризуется малой массой и малым временем разогрева. Согласно [67] тот же автор сообщал о катодах с электронной бомбардировкой и временем разогрева 0,5 с и о прямонакальных катодах с временем разогрева 0,3 с. Дефекты и отказы залитых подогревателей малогабогритных металлопористых катодов рассмотрены в [128]. Оплавление поверхности катодов при импульсной электронной бомбардировке предложено в качестве технологической операции при изготовлении катодов [117]. Показано [145], что ранее опубликованный метод расчета кривых нагрева WBa-катода дает хорошее согласие с экспериментом. Некоторые соображения по конструированию кольцевых катодов приведены [158]. В работе [165] вычислено, в какой мере увеличение температуры катода в процессе работы способно продлить его работу, несмотря на уменьшение потока активного вещества, в работе [373] предложено по мере ухудшения эмиссии поднимать температуру катода. В [221] приведены новые варианты контактных и излучательных подогревателей для WBa-катода и сообщено о достижении долговечности 100.000 ч. при 3 А/см2. Разработана методика расчета нагрева термокатодов горячим газом [228]. Показано, что применением керна переменной толщины можно увеличить долговечность в циклическо режиме [232], [233]. В работе [256] предложено двуслойное покрытие подогревателя - 100 мкм Al2O3 и 20 мкм смеси Al2O3 и W. В области конструкций катодов на конференции IVESC'96 было сообщено об имевшей место разработке катодов большой площади - до 400 см2 [191]. В работе [305] поведена оптимизация конструкции торцевого катодного узла с контактным нагревателем. В работе [307] предложено при изготовлении подогревателей использовать капиллярные эффекты. В работе [313] рассмотрены способы уменьшения времени разогрева прямонакальных катодов. Оригинальная конструкция прямонакального торцевого WBa-катода с временем разогрева 2 сек приведена в [338]. В работе [344] рассмотрена возможность повышения надежности КПУ для магнетронов путем усовершенствования конструкции, в работе [350] -- катодов импульсных магнетронов. Предложено нагревать катод лазерным излучением [382]. В работе [351] описана конструкция ОК площадью 100 см2, состоящего для упрощения конструирования и выравнивания температурного поля из четырех отдельных катодов.
      
       Измерения и контроль
      
       Изложены основы метода измерения работы выхода методом тормозящего потенциала [44], [15], усовершенствована его методика [88] и приведена схема прибора для измерений [45]. Разработан метод измерения скорости испарения по напылению на кварцевый резонатор [46] и по накоплению ионов в потенциальной яме в объеме ЭВП [47]. Продолжена разработка модели неоднородности эмиссии катода [48], [314], [315], [371], [380]. Уточнены теория и характеристики прибора с микрозазором для исследования термоэмиссии [70]. В работе [73] усовершенствована методика измерения работы выхода с помощью эмиссионного микроскопа, для катодов ZrC (100) (110) (111) (210) и W (100) (110) (111) получены данные, близкие к опубликованным [73]. В работе [164] рассмотрена возможность прогнозировать срок службы по времени спада эмиссии на 10 % при отключении накала. Для катодов одного типа показано, что разброс температур катодов не влияет на время достижения определенного тока эмиссии при включении, использующееся для контроля работы выхода [226]. В работе [306] для исследования Pd-Ba-катода применено одновременное измерение веса и эмиссии и обнаружены синхронные колебания. Шумовые методы применены для оценки эмиссионной неоднородности в работе [310].
      
       В области измерений и контроля на конференции IVESC'96 были представлены следующие работы. В работе [180] рассмотрены подходы к аппроксимации ВАХ планарного диода. Работа [181] посвящена уточнению уравнения Ричардсона. О методе измерения распределения поверхности по работе выхода сообщено в работах [182, 185], а в работе [183] сообщено об определении этого распределения для ферромагнетика в точке Кюри. Об исследовании термоэлектронных катодов в диодах с управляемым микро- и нанометровым зазором сообщено в работе [194]. В работе [201] предложено характеризовать катоды не работой выхода, а распределением поверхности по работе выхода, что позволяет лучше описать их работу в электронно-оптических системах. В работе [210] предложено находить из ВАХ, снятых при разных температурах, распределение работы выхода и характеризовать им катод, в [362] предложено находить из ВАХ, снятых при разных температурах, средний размер центров эмиссии и расстояние между ними. Приведены данные для различных катодов в процессе срока службы. Разработка шумовой диагностики термокатодов продолжена [298], показано, что шумовые свойства разных участков поверхности катода различны.
      
       Некоторые экзотические катоды и антиэмиттеры
      
       С многоострийных катодов (катодов Spindt'а) получен ток 0,4 A/см2 в течение 10.000 ч., ток 2 A/см2стационарный и 10 A/см2 импульсный [54] и 1000 A/см2 импульсный [55], обзор данных этих катодов и приборов на их основе дан [56]. На конференции IVESC'96 было сообщено о продолжении разработок катодно-сеточных узлов на основе многоострийных катодов [179]. С площади 0,1 мм2 получена средняя плотность тока 15 А/см2 (ток 15 мA) в течение 8500 ч.
      
       С ОК получена фотоэмиссия 15 A/см2 под действием лазерного (0,512 мкм) облучения [57]. Обзор приборов с использованием многоострийных катодов приведен (попутно) [71]. С Zn-фотокатода, облучаемого 0,5 пс импульсом УФ-лазера мощностью 1ГВт на волне 248 нм получен ток плотностью 1 кА/см2 в луче диаметром 7 мм [126]. Катод из сегнетоэлектрика, эмиттирующий при изменении поляризации, предложен [139]. Получена плотность тока 70 А/см2, предполагается, что можно получить плотность тока 1 кА/см2 при длительности импульса 100 нс (эмиттируемый заряд составит около 0,3 "заряда монослоя").
      
       В работах [269, 299] предложено создавать антидиффузионный барьер под Pt3Zr антиэмиссионным покрытием. В работе [360] показано, что если напылить слои Zr, ZrC с дефицитом С и ZrC с избытком C, а потом отжечь, то получится слой стехиометрического состава.
      
       Вторичноэмиссионные катоды
      
       Теория и исследования
      
       Продолжена разработка теории и получения формул для зависимости вторичной эмиссии от энергии угла и элементного состава [58], [59], [72], [89], [90], [91]. В работе [151] вычислена зависимсть КВЭ от энергии и угла падения первичных электронов для неровной (синусоидальной) поверхности, в [152], [153] - для прямоугольной щели. В работе [297] исследовано влияние температуры на ВЭЭ с моно- и поликристаллического алмаза. Показано, что в Cs-O покрытии GaAs и InP-катодов с ОЭС есть несколько различных состояний Cs и O [60], что в процессе прогрева PtTh пленка на W достигает КВЭ 2,7 [61], у напыленных пленок CuBaO наибольший КВЭ достигается при молярной концентрации Cu 0,15 и его максимум составляет 5,8 (при энергии 0,35 кэВ) [62]. Зависимость ВЭ пленок BeO на Be от толщины исследована [92] и показано, что оптимальная толщина составляет 0,2 мкм, при этом максимальный КВЭ - 3 при 0,5 кэВ, а при E=0,2 кэВ КВЭ = 2,3. В работе [64] исследовано энергетическое распределение вторичных электронов из ОЭС-эмиттеров, а краткий обзор данных по этим эмиттерам дан [65]. Для тонких пленок SiO2 и Si3N4 получены данные: максимальное КВЭ - 3,8 и 2,9 (соответственно), при 0,45 и 0,35 кэВ, и первый критический потенциал E1 (в обоих случаях) - около 20 эВ [69]. В [124] показано, что при восстановлении почти всего Pb в свинцовом стекле для микроканального умножителя можно уменьшить сопротивление на 1-2 порядка.
      
       В [121], [136] исследовано влияние технологии на термо- и вторичноэлектронную эмиссию PdBa-катода. Разработан прессованный PdBa-катод [319] для безнакального магнетрона, в котором поток Ba и автоэмиссия зависят от пористости катода, в [322] исследовано испарение этого катода. При ионном внедрении Ba в Pd и последующем окислении получен максимальный КВЭ - 8 и термоэмиссия 0,1 А/см2 при 1000 oC. Эмиссионные характеристики PdBa- и PtBa-катодов приведены в [341]. В работе [266] исследовано испарение Pt, Pd, Ba и BaO из PdBa- и PtBa-катодов. В работе [273] сделан расчет роста кристаллов BaO на PdBa-катоде. В работе [345] рассмотрена возможность создания на поверхности PdBa-катода автоэмиссионных центров посредством ионной бомбардировки.
      
       В работе [114] показано, что для работоспособности холодного Al-катода необходима пленка MgO на поверхности. В [150] исследован вторичноэмиссионный BeO-катод, состав его поверхности, спектр эмиттированных электронов. Получен максимальный КВЭ - 2,8 при 0.4 кэВ, E1=40. Исследована зависимость свойств от температуры. Для сплава Al-2,2% Li достигнут максимум КВЭ - 7 при 0.6 кэВ, минимальное Е1 - 5 эВ [156]. Показано, что гистерезис КВЭ связан с зарядкой поверхности и определены условия его отсутствия [159]. В [161] построена модель вторичной эмиссии пористого материала и показано, что КВЭ может иметь два пика и что КВЭ в область более 1 кэВ может увеличиваться в несколько раз. Режим обработки катода на основе боридов Ni и легкоплавких стекол оптимизирован [162]. Работающий катод - частицы никеля в матрице из окислов Pb, B и Si. Показано, что электронно-лучевая обработка микроканальных пластин увеличивает КВЭ. Вторичная эмиссия свинцово-силикатных стекол исследована [263]. В [102] исследовалось изменение состава поверхности PbSi-стекол при облучении. Катод Al+1-3% Li c максимум КВЭ - 7 исследован в [286]. В работе [301] исследование напыления Re, Mo, Cu на ВЭЭ Pt.
      
       Применение, параметры
      
       Вторичная эмиссия WBa-катода в зависимости от состава и в течение срока службы исследована [63] (максимальный КВЭ реализуется при пропитке 3-1-1, и через 10.000 ч. работы при 850 oC он составляет 1,6). В [123] рассмотрена технология композиционных сплавов благородных металлов для долговечных вторично-электронных эмиттеров. Металлический компонент - Pt, Pd, Ag, оксидный - BeO, CaO, SrO, Li2O. В частности, в системе Pd-BaO-Li2O достигнуты параметры Е1=25 эВ, максимум КВЭ - 4,5. Показано, что при термоактивировании композиционных катодов MgO+Cu частицы Cu объединяются в матрицу, а частицы MgO укрупняются до 1-3 мкм [129]. В [234] исследованы эмиттеры на основе Ni, Cu, Pt и окислов BeO, MgO, BaO, Li2O, показано, что максимальная эмиссия достигается при отношениях Ba:Mg:Be - 8:5:2 и Ba:Li - 1:5. Система Cu-BaO-Li2O c покрытием Cu исследована [235], показано, что такой катод выдерживает в 1,3-1,5 раза большие нагрузки, чем PdBa с Mo покрытием. В [293] приведены данные по катодам Mo+La2O3, Mo+Y2O3, Mo+Gd2O3, Mo+Ce2O3, получен максимальный КВЭ 5,24. В работе [236] предложено распространить системный подход не только на конструирование катода, но и на производство. В работе [312] оптимизирована пористость Pd-Ba-катодов. Разделение авто- и вторично электронного катода в магнетроне предложено [334], их одновременное активирование - [335]. Технология PdBa-катодов для магнетронов с безнакальным запуском разрабатывается и совершенствуется [336], [339].
      
       Обзоры
      
       Опубликованы обзор по катодам долговечных ЭВП [49], многолучевых ЭВП [50], по катодам ЭВП и ГРП [51], [83], [85]. Некоторые данные по катодам кинескопов приведены в [52], по сроку службы - в [53]. Обзор катодов, разработанных в НИИ "Исток", дан в работах [146], [157], катодов для ГРП, разработанных во ВНИИМЭТ - в [160], [224], катодов, разработанных в объединении "Торий" - в [229]. Краткий обзор данных катодов имеется в [332]. Обзор данных WBa и металлосплавных катодов имеется в [363], WBaSc-катодов - в [372]. Часть данных настоящего обзора (до 1993 года) была опубликована [107]. Обзор данных WBa-катодов и их модификаций по состоянию на 1994 год дан [340]. Обзор работ по вторично-эмиссионным металлосплавным и металлооксидным катодам дан [357].
      
       Литература
      
       1. Иванов В.И., Можаев П.Б. // Физика и химия обработки материалов. 1989. N 6. С. 12.
       2. Ашкинази Л.А., Дедков А.Ф. // Журнал Физической химии. 1992. N 5. С. 1418.
       3. Королев С.В., Киселев А.Б. // Радиотехника и электроника. 1991. Т.36. N 7. С. 1353.
       4. Кандыбей В.Г., Смирнов Н.С. // Эл. техн. сер. 1 Эл-ка СВЧ. 1991. N 6. С. 41.
       5. Saito M., Fukuyama K., Ishida M., Watanabe K., Kamata T., Sano K. Пат. США 4797593 (РЖ Электроника 1989. N 12. Реф. А170).
       6. Гетьман О.И., Корольков А.Е., Михайленко М.А., Ракитин Г.П., Рудь З.П., Сухоярская З.П. // Эл. техн. сер. 6. Материалы. 1991. N 5. С. 17.
       7. Su X., Fang H. J. // Electron. 1990. V. 12. N 6. P. 628.
       8. Hasker J., Crombeen J.E. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 6(2). P. 1594.
       9. Дюбуа Б.И., Лобова Э.В., Громова Р.П. // Эл. техн. сер. 1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 1. С. 49.
       10. Масленников О.Ю., Титов Ю.В., Астахова Е.А. // Эл. техн. сер. 1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 2. С. 40.
       11. Nexsen W.E., Turner W.C. J. // Appl. Phys. 1990. V. 68. N 1. P. 298.
       12. Brion D., Shroff A.M. // ReV. Techn. Thomas-CSF. 1991. V. 23. N 4. P. 1027.
       13. Zhang H., You Y., Cheng Y. // J. Electron. 1991. V. 8. N 2. P. 180.
       14. Шнюков В.Ф., Михайловский Б.И., Лушкин А.Е., Божко А.Н. // Эл. техн. Сер.1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 5. С. 24.
       15. Yamamoto S., Watanabe I., Sasaki S., Yaguchi T., Tanuma H. // Surf. Sci. 1990. V. 235. N 2-3. P. L338.
       16. Fang C.S.A., Maloney C.E. J. // J. Vac. Sci. Technol. A // 1990. V. 8. N 3. P. 2329.
       17. Набоков Ю.И., Свинцов В.В. // Эл. техн. Сер.1 Эл-ка СВЧ // 1991. N 8. С. 32.
       18. Дюбуа Б.Ч., Земчихин Е.М., Макаров А.П.Култашев О.К., Куранова Е.Д., Поливникова О.В. // Радиотехника и электроника 1991. Т.36. N 5. С. 985.
       19. Raju R.S. // IETE Tech. ReV.  1989. V. 6. N 6. P. 436.
       20. Staprans A., Symons R.S. // Microvawe J. 1990. V. 33. N 12. P. 26.
       21. Haas G.A., Thomas R.E., Marrian C.R.K. // IEEE Trans. 1991. V. ED38. N 10. P. 2244.
       22. Катодно-подогревательные узлы (Буклет) Б.М. б.г. [МПТИ, М. 1992].
       23. Ашкинази Л.А. // Эл. техн. Сер.6. Материалы. 1991. N 8. С. 75.
       24. Гриднева И.В., Лазоренко В.И., Лодко Д.В., Мильман Ю.В., Падерно Ю.Б., Чугунова С.И. // Порошковая металлургия. 1990. N 12. С. 30.
       25. Солонович В.К. // Письма в ЖТФ. 1991. Т.17. N 20. С. 80.
       26. Булыга А.В. // Физика и химия редкоземельных полупроводников Новосибирск. 1990. С. 63.
       27. Васильев А.М., Бессараба В.И., Дудник Е.М., Епанишникова И.И. // Вопр. атомной науки и техники. Сер. Ядерно-физические исследования. 1990. N 4. С. 68.
       28. Бессараба В.И., Дудник Е.М., Васильев А.М., Филиппов В.Б., Шагинян Л.Р. // Электронное строение и св-ва тугоплавких соединений и металлов. Киев 1991. С. 112.
       29. Herniter M.E., Getty W.D. // IEEE Trans. 1990. V. PS18. N 6. P. 992.
       30. Ермилов А.Н., Логинов Л.В. // ПТЭ 1991. N 2. С. 201.
       31. Ашкинази Л.А., Ермилов А.Н., Логинов Л.В. // Эл. техн. Сер.1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 5. С. 28.
       32. Экспресс-информация по зарубежной электронной технике 1991. N 187/188.
       33. Капустин В.И. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1991. Т.27. N 4. С. 790.
       34. Есаулов Н.П., Галактионов И.А., Еремеева Г.А., Марин В.П., Марголис Л.М., Семенов Л.А., Титов Ю.В. // Эл. техн. Сер. 6. Материалы 1991. N 8. С. 19.
       35. Mason N.J., Newell W.R. // Meas. Sci. Technol. 1990. V. 1. N 9. P. 983.
       36. Умирзаков Б.Е., Сергеев Г.И., Нормурадов М.Т., Касымов А.Х. // Эл. техн. Сер. 1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 10. С. 28.
       37. Venkateswarlu D.S., Anjan S. // Appl. Surf. Sci. 1991. V. 52. N 1/2. P. 7.
       38. Zhang Z. // TeleV. Eng. 1990. N 9. P. 5.
       39. Sil A., Venkaterswarlu D.S., Samria N.K. // IETE Tech. ReV. 1989. V. 6. N 6. P. 440.
       40. Sil A., Samria N.K., Venkaterswarlu D.S. // Appl. Surf. Sci. 1990. V. 45. N 3. P. 229.
       41. Бербасов В.А., Журавлева М.С., Хрыкина Т.А. // Эл. техн. Сер.1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 3. С. 43.
       42. Сусаров А.Д., Федяков В.П. // Вопр. атомной науки и техники. Сер. Электрофизическая аппаратура. 1990. N 25. С. 36.
       43. ПТЭ 1991. N 2. С. 16.
       44. Ben-Shalom A., Seidman A., Croitorn N. // Thin Solid Films. 1990. V. 186. N 2. P. L55.
       45. Коваль В.Ф., Берденюк И.В. // ПТЭ 1992. N 2. С. 251.
       46. Chang Z., Wu C., Ni M. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. V. 9. N 3(1). P. 501.
       47. Базылев В.К., Коротченко В.А., Скворцов В.Э. // Эл. техн. Сер. 4. Эл. вак. и газоразр. приб. 1991. N 3. С. 18.
       48. Шаповалов А.С. // Вопросы прикладной физики. 1989. N 1. С. 43.
       49. Киселев А.Б. // Обз. по эл. техн. Сер.1 СВЧ-техника. 1992. N 11.
       50. Киселев А.Б., Марченко Н.Н. // Эл. техн. Сер.1. Эл-ка СВЧ. 1991. N 9. С. 3.
       51. Ашкинази Л.А. // Обз. по эл. техн. Сер.1 СВЧ-техника 1992. N 5.
       52. Nakanishi H., Sano K. // J. Inst. TeleV. Eng. Jap. 1990. V. 44. N 6. P. 736.
       53. Гродзенский С.Я. // Обз. по эл. техн. Сер.1 СВЧ-техника 1990. N 14.
       54. Djubua B.C., Chubin N.N. // IEEE Trans. 1991. V. ED38. N 10. P. 2314.
       55. Spindt C.A., Holland C.E., Macanlay J., Brodie I. // 37 Int. Field. Emiss. Symp. Albuquerque N.M. 1990. P. 27.
       56. Дэнсокэн нюсу. 1991. N 493. P. 8.
       57. Вапцан В.М., Галат А.Б., Сафонин Н.Н., Кульбеда В.Е.,.Рыльцева П.И. // Физика твердого тела. 1990. N 20. С. 76.
       58. Abuelma'atti M.T. // IEEE Trans. 1990, V. ED37, N 6(2), P. 1590.
       59. Schwarz S.A. // J. Appl. Phys. 1990, V. 68, N 5, P. 2382.
       60. Коротких В.Л., Афанасьев М.В., Турчинский В.М. // Радиотехника и электроника. 1992. Т.37. N 3. С. 541.
       61. Карасик Б.С. // Электронные процессы в твердом теле ЛГПИ. Л. 1990. С. 143.
       62. Croitoru N., Siedman A., Yassin K. // Thin Solid Films. 1990. V. 191. N 2. P. 361.
       63. Shroff A.M., Tonnerre J.C. // Int. El. DeV. Meet. 1989. P. 375-378.
       64. Стучинский Г.Б., Янюшкин Е.И., Янюшкин Г.В. // Электронные процессы в твердом теле ЛГПИ. Л. 1990. С. 154-160.
       65. Климин А.И., Стучинский Г.Б. // Проблемы физической электроники-91. Л. 1991. С. 77-101.
       66. Cattelino M.J., Miram G.V. , Smith B. // IEEE Trans. 1991. V. ED38. N 10. P. 2239.
       67. Christensen J.A. // Microwave J. 1989. V. 32. N 2. P. 26.
       68. Nagahisa M. // IEEE Trans. 1991. V. ED38. N 11. P. 2554.
       69. Fijol J.J., Then A.H., Tasker G.W. // Appl. Surf. Sci. 1991. V. 48-49. P. 464.
       70. Булыга А.В. // Изм. техн. 1992. N 4. С. 42.
       71. Сазонов В.П. // Эл. техн. Сер.1. Эл-ка СВЧ. 1992. N 8. С. 3.
       72. Abuelma'atti M.T. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 1. P. 299.
       73. Mackie W.A., Hinrichs C.H., Davis P.R. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2568.
       74. Bussey D., Daniszewski E., Novak M., Byan J., Wilkinson J. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2612.
       75. Hasker J., Crombeen J.E. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2589.
       76. Lesny G., Forman R. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2595.
       77. Saito M., Suzuki R., Fukuyama K., Watanabe K., Sano K., Nakanishi H. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2605.
       78. Feltham S.J., Kornfeld G., Lotthammer R., Stevenson J.L. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2558.
       79. Kimura S., Yakabe T., Matsumoto S., Miyazaki D., Yoshii T., Fujiwara M., Koshigoe S. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2564.
       80. Crombeen J.E., Hasker J. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2585.
       81. Kobale M., Reiners M. // IEEE Trans. 1990. V. ED37. N 12. P. 2581.
       82. Otani Sh., Hirada H., Ide M., Ishizawa J. J. // Alloys and Compounds. 1992. V. 189. N 1. P. L1.
       83. Свешников В.К. Эмиссионные свойства оксидного катода в натриевом разряде низкого давления. Саранск. Изд-во Мордовск. гос. пед. ин-та. 1992.
       84. Grunwald H.C. Kennedy M.J. Пат. США N 5072148 МКИ H01J1/28 (РЖ Электроника. 1993. N 6, реф. А5).
       85. Арапов Д.Т., Воробьев В.С., Дюбуа Б.Ч., Киселев А.Б., Кондратенков Ю.А., Котюргин Е.А., Прохоров Л.Н., Решетников А.М., Стародубов И.П., Сытник А.Я. // Эл. техн. Сер. 1. СВЧ техника. 1993. N 1. С. 57.
       86. Miram G.V. , Mizuyara Y.H. Пат. США N 5015908 МКИ H01J1/15 (РЖ Электроника 1993. N 7. реф. А36).
       87. Ашкинази Л.А. // ПТЭ 1993. N 3. С. 224.
       88. Khaimar R.S., Chopra A.K. // ReV. Sci. Instr. 1992. V. 63. N 11. P. 5483.
       89. Yassin K., Seidman A., Croitoru N. // Thin Solid Films. 1992. V. 217. N 1-2. P. 193.
       90. Vaughan R. // IEEE Tr. 1993. V. ED40. N 4. P. 830.
       91. Shich A., Hor C. // IEEE Tr. 1993. V. ED40. P. 824.
       92. Dallos A., Shapiro E.K., Show B.A. // IEEE Tr. 1992. V. ED39. N 11. P. 2611.
       93. Бойко В.И., Долматов О.Ю., Шаманин И.В., Юшицин К.В. // ПТЭ1993. N 5. С. 194.
       94. Perng D.C., Greve D.A., Fienerman A.D. // J. Micromech. аnd.Microeng. 1992. V. 2. N 1. P. 25.
       95. Das Subrata, Prabhagaonkar V. B. // Indian J. Phys. A. 1991,.V. 65. N 6. P. 489.
       96. Hasker J. // IEEE Tr. 1992. V. ED39. N 2. P. 455.
       97. Taguchi S., Suzuki Y., Saitoh S., Sasaki S. // J. Inst. TeleV. .Eng. Jap. 1992. V. 46. N 7. P. 919.
       98. Мita N. // IEEE Tr. 1992. V. ED39. N 9. P. 2172.
       99. Platinum Metals ReV. 1992. V. 36. N 1. P. 33.
       100. Firmain G. // ReV. Techn. Thomson-CSF. 1991. V. 23. N 4. P.1063.
       101. Турсунметов К.А., Сабиров А.К. // Письма в ЖТФ. 1993. Т.19. N 6. С. 46.
       102. Авдеев С.П. // Сб. ХХII Конф. по эмисс. эл.-ке. Кр. сод. докл.М.1994 ч.2. С. 171.
       103. Масленников О.Ю. // Там же С. 219.
       104. Гурков Ю.В., Земчихин Е.Н., Макаров А.П. // Там же С. 153.
       105. Алов Н.В., Дадаян К.А., Королев С.В., Логинов Л.В. // Там же С. 158.
       106. Шнюков В.Ф., Михайловский В.И., Лушкин А.Е., Ракитин С.П., Гетьман О.И. // Там же С. 211.
       107. Ашкинази Л.А. // Там же С. 152.
       108. Сосульников С.М, Гугнин А.А., Масленников О.Ю. // Там же С. 215.
       109. Смирнов В.А., Зубов Л.Н., Потапов Ю.А., Судаков Ю.С., Титов Ю.В. // Там же С. 218.
       110. Гетьман О.И., Лушкин А.Е., Солодко О.О., Шнюков В.Ф. // Там же С. 205.
       111. Волков С.С., Дмитриевский Ю.Е., Ивлюшкин А.М., Тимохин С.А. // Там же С. 200.
       112. Алексеева И.С., Запорожченко В.И., Матин Е., Парщиков А.П. // Там же С. 221.
       113. Говядинов А.Н. Там же С. 169.
       114. Аристархова А.А., Волков С.С., Дмитриевский Ю.Е. // Там же С.199.
       115. Шнюков В.Ф., Горчинский А.Д., Лушкин А.Е. // Там же С. 208.
       116. Григоришин И.Л., Ефремов Г.И. // Там же С. 171.
       117. Гнучев Н.М., Рухляда Н.А., Ли И.П., Храмушин Н.И. // Там же С.159.
       118. Поливникова О.В., Макаров А.П., Дюбуа Б.Ч., Култашев О.К.,.Земчихин Е.М. // Там же С. 161.
       119. Горкин С.Б., Молчанов Ю.К., Пошехонова Т.В., Чижиков А.Е.. // Там же С. 186.
       120. Ашкинази Л.А., Гайнер М.Л. // Там же С. 163.
       121. Ташатов А.К., Тураев У.А., Умирзаков Б.Е. // Там же С. 213.
       122. Гетьман О.И., Лушкин А.Е., Паничкина В.В., Ракитин С.П.,.Рудь З.П., Смирнов В.П. // Там же С. 155.
       123. Аитов Р.Д., Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. // Металлы 1993. N 4. С. 223.
       124. Асмамурзаев К.С., Дунаева Г.Н., Езикова К.А., Каничев З.И.,.Конаева Г.Я., Хмельницкая Г.А., Христич Е.Е. // Оптический.журнал 1992. N 11. С. 79.
       125. Aida T., Tanuma H., Sasaki S., Yaguchi T., Taguchi S.,.Kohanezava N., Nonaka Y. // J.Appl.Phys. 1993. V. 74. N 11..P. 6482.
       126. Kawamura Y., Deong Y.U., Akiyama Y., Kubodera S., Midorikawa.K., Toyoda K. // Jap.J.Appl.Phys. Pt.2. 1993. V. 32. N 2B. P. L297.
       127. Турсунметов К.А. // Эл.техн. Сер.1. СВЧ техн. 1993. N 2. С.47.
       128. Бугаева А.М., Маслова Н.Д., Никонов Б.П. // Эл.техн. Сер.1. СВЧ техн. 1993. N 2. С.22.
       129. Аристархова А.А., Дмитриевский Ю.У., Волков С.С., Кропотченко О.Н., Носов А.А., Носова Д.И., Степанов В.А. // Петерб.журн.электрон. 1993. N 3. С.57.
       130. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А., Степанов В.А., Чиркин М.В. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. N 6. С.93.
       131. Гетьман О.И., Лушкин А.Е., Паничкина В.В., Ракитин С.П., Рудь З.П., Смирнов В.П. // Изв.АН сер. Физ. 1994. Т. 58. N 10. С.76.
       132. Шнюков В.Ф., Михайловский Б.И., Лушкин А.Е., Ракитин С.П., Гетьман О.И. // Изв.АН. Сер. Физ. 1994. Т.58. N 10. С.171.
       133. Ашкинази Л.А., Гайнер М.Л. // Изв.АН. Сер. Физ. 1994. Т.58. N 10. С.176.
       134. Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Скляр В.К. // Изв.АН. Сер. Физ. 1994. Т.58. N 10. С.137.
       135. Свешников В.К. // Радиотехн. и эл-ка. 1996. Т.41. N 7. С.366.
       136. Ташатов А.К., Кодиров И.Н., Усманов М., Умирзаков Б.Е. // Изв.АН. Сер. Физ. 1994. Т.58. N 10. С. 68.
       137. Аньмаков А.С., Быков А.Н., Тимошевский А.Н., Урбах Э.К. // Автоматизированные электронные технологические установки. Новосибирск. 1991. С.44.
       138. Haas G.A., Shih A., Mueller D., Thomas R.E. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 59. N 3-4. P. 227.
       139. Ivers J.D., Schachter L., Nation J.A., Kerslink G.S., Advani R. // J.Appl.Phys. 1993. V. 73. N 6. P. 2667.
       140. Васильев А.М., Блохин В.Г., Бессараба В.И., Дудник Е.М. // Рос. науч.-техн. конф. "Нов. матер. и технол. машиностр." М., 16-19 ноя. 1993. Тез.докл. М. 1993. С.36.
       141. Hara O., Kawaratani T., Kavasaki Y., Shirakawa T., Ayame Y., Matsui K. // Ishikawajima-Harima Eng. ReV. 1993. V. 33. N 6. P.408.
       142. Taguchi S., Suzuki Y., Saito S. // J. Vac. Soc. Jap. 1993. V. 36. N 3. P.167.
       143. Baltateanu N., Necsoiu Th., Spanulescu I., Scarlat F., Stoenescu G. // Stud. si cerc. fiz. 1992. V. 44. N 6. P.569.
       144. Mita N. // IEEE Tr. 1994. V. ED41. N 7. P.297.
       145. Sil A., Venkateswarlu D.S., Chatterjee A., Shukla M.M., Jhansi Rani A. // IEEE Tr. 1994. V. ED41. N 7. P. 1480.
       146. Арапов Д.Г., Воробьев В.С., Дюбуа Б.Ч., Киселев А.Б.,.Кондрашенков Ю.А., Котюргин Е.А., Прохоров Л.Н., Решетников А.М., Стародубов И.П., Сытник А.Я. // Эл.техн. Сер.1. СВЧ техн. 1993. N 1.С.57.
       147. Chopra A.K. // Journal IETE 1994. V. 40. N 1. P. 17.
       148. Масленников О.Ю., Абанович С.А. // Электронная промышл. 1994..N 6. С.64.
       149. Raju R.S., Maloney C.E.// IEEE Tr. 1994. V. ED41. N 12. P.2460.
       150. Shih A., Yater J., Hor C., Abrams R.H. // IEEE Tr. 1994. V. ED41. N 12. P.2448.
       151. Nishimura K., Ohya K. // Numazu Coll. Technol. Res. Annu. 1994. N 29. P.27.
       152. Новиков Ю.А., Раков А.В., Стеколин И.Ю., Стрижков И.Б. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. N 12. С.10.
       153. Новиков Ю.А., Раков А.В., Стеколин И.Ю., Стрижков И.Б. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. N 12. С.47.
       154. Kultashev O., Djubua B. // Vide, couches mines. 1994. V. 50. P.271. Supl, P.251.
       155. Kultashev O., Ovsiannikov V. // Proc. Int. Linac Tsukuba. Aug. 21-26 1994. V. 2. Tsukuba. 1994. P. 606.
       156. Бондаренко Г.Г., Шишков А.В. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. N 9. С. 35.
       157. Дюбуа Б.Ч. // Эл.техн. Сер.1. 1995. N 1. С.93.
       158. Киселев А.Б., Симонов К.Г. // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 48. N 1. С.108.
       159. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. // Радиотехника и электроника 1995. Т. 40. N 11. С. 1692.
       160. Коржавый А.П. // Электронная промышл. 1995. N 6. С. 17.
       161. Millet J.M., Lafon J.-P.// J. Phis.ReV. A. 1995. V. 52. N 1. P.433.
       162. Галкин А.А., Ивлюшкин А.Н., Корольков А.Н., Крютченко А.Н., Степанов В.А. // Петерб. журн. эл.-ки. 1996. N 3. С.21.
       163. Dwivedi H.K., Venkateswarlu D.S. // IEEE Tr. 1996. V. ED-43. N 11. P. 2011.
       164. Shichio M., Kanji K., Yasuhiro A. // NEC Res. and DeV. 1996. V. 37. P.249.
       165. Nemchinsky V. A. // J.Phys.D. 1996. V. 29. N 9. P.2417.
      
       Ссылки 166-216 на материалы конференции IVESC'96 International Vacuum Electron Souces Conference 1996 Eindhoven, The Netherlands, July 1-4, 1996 даны следующим образом - после фамилий авторов и IVESC'96 указаны страница, на которой сообщение было опубликовано в тезисах конференции и через дробь - страница, на которой данный материал был опубликован в журнале Appl.Surf.Sci. 1997, V. 111, полностью посвященном этой конференции. Размещение материалов в тезисах конференции имело особенность, важную для наукометрического анализа. Для исследователей из бывшего СССР это была первая и последняя возможность легкой публикации за рубежом. Поэтому присланные на конференцию и опубликованные в тезисах материалы являются результатами работ многих лет.
      
       Ссылки 251-257 на материалы конференции IVESC'98 2nd International Vacuum Electron Souces Conference 1998 Tsukuba, Japan, July 7-10, 1998 даны следующим образом - после фамилий авторов и IVESC'98 указаны страница, на которой сообщение было опубликовано в тезисах конференции и через дробь - страница, на которой данный материал был опубликован в журнале Appl.Surf.Sci. 1999, V. 146.
      
       166. Maslennicov O. // IVESC'96 B1.
       167. Ohlinger W.L. // IVESC'96 B2.
       168. Kimura S., Higuchi T., Ohuchi Y., Uda E., Nakamura O., Sudo T., Koyama K. // IVESC'96 B3/60.
       169. Denier van der Gon A.W., Jongen M.F.F.K., Brongersma H.H., Manenschijn A., Slooten van U. // IVESC'96 B4/64.
       170. Gartner G., Geittner P., Lydtin H., Ritz A. // IVESC'96 E1/11.
       171. Mueller W. // IVESC'96 E2/30.
       172. Magnus S.H., Hill D.N., Ohlinger W.L. // IVESC'96 E3/42.
       173. Zagwijn P.M., Frenken J.W.M., Slooten van U., Duine P.A. // IVESC'96 E4/35.
       174. Sasaki S., Amano I., Yaguchi T., Matsuzaki N., Yamada E., Taguchi S., Shibata M. // IVESC'96 E6/18.
       175. Nakanishi H. // IVESC'96 J2.
       176. Djubua B.Ch., Ilyin V. N., Koultashev O.K. // IVESC'96 J3.
       177. Bossert F. // IVESC'96 J4.
       178. Koultashev O., Sergienko A. // IVESC'96 J5.
       179. Spindt C.A., Holland C.E., Schwoebel P.R., Brodie I. // IVESC'96 M3.
       180. Venkateswarlu D.S., Sakharkar P.R., Chatterjee A. // IVESC'96 G1.
       181. Moos E., Tabunov N. // IVESC'96 G2.
       182. Kiselev A.B., Korolev S.V. // IVESC'96 G4.
       183. Korolev S., Kiselev A. // IVESC'96 G5.
       184. Korolev S., Shapiro A. // IVESC'96 G6.
       185. Korolev S., Kiselev A. // IVESC'96 G7.
       186. Gurkov J.V. , Pozgidaev V. N., Tashlikov S.A. // IVESC'96 G9.
       187. Maslennicov O. // IVESC'96 G10.
       188. Andronov A.N., Ilyin V. N., Khmara V. A., Luchin A.A., Luksha O.I., Makarova S.P., Maslennikov O.Ju., Mjasnikov V. E., Pobozerov S.V. , Smirnov V. A., Sominski G.G., Zapevalov V. E. // IVESC'96 G13.
       189. Djubua B.Ch., Ilyin V. N., Polivnikova O.V. , Zemchikhin Ye.M. // IVESC'96 G12/99.
       190. Andronov A.N., Ilyin V. N., Khmara V. A., Kuftin A.N., Louksha O.I., Maslennikov O.Ya., Robozerov S.V. , Sominsky G.G., Zapevalov V. E. // IVESC'96 G13.
       191. Korolev S., Loginov L., Perevodchikov V. // IVESC'96 G14.
       192. Grigorov G.N., Vasileva V. // IVESC'96 G15.
       193. Grigorishin I.L., Kotova I.F., Mukhorov N.I. // IVESC'96 G16/101.
       194. Solonovich // V. K. IVESC'96 G18.
       195. Magnus S.H., Hill D.N., Ohlinger W.L. // IVESC'96 L1/50.
       196. Janovski M.P., Magnus S.H., Ohlinger W.L., Hill D.N. // IVESC'96 L2.
       197. Slooten van U., Duine P.A. // IVESC'96 L5/24.
       198. Manenschijn A., Veen van A., Moor de M.W. // IVESC'96 L6/76.
       199. Bachmor R., Geerse J., Schipper D.J. // IVESC'96 L8.
       200. Wintuchy E.G., Lenny G., Vancil B. // IVESC'96 L9.
       201. Korolev S. // IVESC'96 L10.
       202. Korolev S. // IVESC'96 L11.
       203. Ashkinazi L.A., Gainer M.L. // IVESC'96 L12.
       204. Makarov A.P., Kultashev O.K. // IVESC'96 L13/56.
       205. Chubun N.N., Sudakova L.N. // IVESC'96 L15/81.
       206. Galina N.M., Djubua B.Ch. // IVESC'96 L16.
       207. Djubua B.Ch., Kniazev A.Ya., Tarash I.L., Tashlykov S.A. // IVESC'96 L17.
       208. Windes D., Dutkowski J., Kaiser R., Justice R. // IVESC'96 L18.
       209. Wintucky E.G., Windes D., Dutkowski J., Miram G. // IVESC'96 L19.
       210. Cattelino M., Miram G. // IVESC'96 L20/90.
       211. Sugimori K., Higuchi T. // IVESC'96 L21.
       212. Govyadinov A.N. // IVESC'96 L31.
       213. Djubua B.Ch., Zemchikhin E.N., Makarov A.P., Polivnikova O.V. // IVESC'96 L32/285.
       214. Dieumegard D., Tonnerre J.C., Brion D., Shroff A.M. // IVESC'96 L36/84.
       215. Makovicka C., Gartner G., Hardt A., Hermann W., Wiechert D.U. // IVESC'96 L37/70.
       216. Yu W., Gregory G., Ingram P., Devonshire R. // IVESC'96 H4/311.
       217. Ebihara K., Yiramatsu S. // ReV. Sci.Instr. 1996. V. 67. N 8. P.2765.
       218. Nemchinsky V. A. // J.Phys.D. 1996. V. 29. N 9. P.2417.
       219. Поливникова О.В., Земчихин Е.М. // Эл. техн. Сер.1. 1996. N 1. С.40.
       220. Rao R., Kultashev O. Meas. // Sci. and Technol. [J.Phis.E.] 1997. V. 8. N 2. P.184.
       221. Лучин А.А. // Актуальные пробл. электрон. приборостр. Тез. докл. Межд. научн.-техн. конф. Саратов. 10-12 сент. 1996. Ч.1. Саратов. 1996. С.57.
       222. Chiba A., Akiyama Y., Katakami K., Miura S., Matsuura H. // NEC Res. and DeV. 1997. V. 38. N 1. P.36.
       223. Масленников О.Ю., Абанович С.А. // Эл. техн. Сер.1. 1995. N 2. С.23.
       224. Прасицкий В.В. // Электронная промышл., 1996. N 3. С.91.
       225. Ашкинази Л.А., Гайнер М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 1997. N 10. С.35.
       226. Косарев В.М., Погорельский В.М., Чернуха С.Г. // Петерб. ж. электрон. 1997. N 2. С.64.
       227. Авдеев С.П., Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., Руденко А.А., Чередниченко Д.И. // Изв. ВУЗов. Эл-ка. 1997. N 3-4. С.162.
       228. Билецкий И.Э., Горяинов Г.М., Кулигин Е.В. // Сб. науч. тр. НИИ КТ 1996. N 2. С.5.
       229. Артюх И.Г., Калинин М.В., Кацнельсон Б.Х., Лучин А.А., Масленников О.Ю., Смирнов В.А., Иванов О.В. // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. 1998. N 5. С.72.
       230. Zhang G., Wu Q. // Chin.J.Electron. 1998. V. 7. N 3. P.279.
       231. Пикус Г.Я., Ракитин С.П., Самойленко В.И., Шнюков В.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 1998. Т.62. N 10. С.2051.
       232. Скапцов А.А. // Вопросы прикладной физики. 1998. N 4. С. 40.
       233. Скапцов А.А. // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-98. Материалы международной научно-технической конференции. Саратов 7-9 сент. 1998. Секция 3. Прим. и технол. эл.приб. и устр-в. Сараптов. СГТУ. 1998. С. 103.
       234. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. // Металлы. 2000. N 4. С. 114.
       235. Марин В.П., Есаулов Н.П, Реутов А.П. // Наукоемкие технологии. 2003. Т. 4. N 2. С. 17.
       236. Киселев А.Б., Морозов О.А., Смирнов В.А. // Электронная техника, сер. 1, 2000, N 2. С. 14.
       237. Hayashida Y., Ozawa N., Sakutai H. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 146. N 1-4. P. 7.
       238. Zhang J., Nie Z., Zhou M., Wang J.S., Liu D., Yao C., Zuo T. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 146. N 1-4. P. 117.
       239. Киселев А.Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. М.: Изд-во МФТИ. 2002.
       240. Капустин В.И. // Перспективные материалы. 2002. Т. 2. N 5. С. 5.
       241. Соколов А.М. // Наукоемкие технологии, 2003. Т. 4. N 2. С. 47.
       242. Марин В.П., Смирнов В.А., Гаценко В.П. // Наукоемкие технологии. 2003. Т. 4. N 2. С. 23.
       243. Gartner G., Janiel P., Raasch D. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 201. N 1-4 P. 35.
       244. Смирнов В.А. // Вакуумная наука и техника. М. Сент. 2003. Матер. конф. Т. 2. МИЭМ 2003. С. 436.
       245. Абанович С., Гродзенский С., Масленников О., Ушаков А. // Там же. С. 442.
       246. Лучин А.А., Корнюхин А.А., Шапиро А.Л. // Наукоемкие технологии. 2003. Т. 4. N 2. С. 20.
       247. Wang Y., Pan T. // Appl.Surf. Sci. 1999. V. 146. N 1-4. P. 62.
       248. Higuchi T., Nakamura O., Matsumoto S., Uda E. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 144-145. P. 51.
       249. Higuchi T., Yamamoto S., Kudo H., Murata H. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 200. N 1-4. P. 125.
       250. Isagava S., Higuchi T., Kobayashi K., Miyake S., Ohya K., Yoshida H. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 146. N 1-4. P. 89.
       251. Ohira T., Teramoto H., Saito M., Shinjo T. // IVESC'98/47.
       252. Hodgson S.N.B., Baker A.P., Goodhand C.J., van der Heide P.A.M., Lee T., Ray A.K., Al-Ajili A. // IVESC'98/79.
       253. Chiba A. Akiyama Y. // IVESC'98/120.
       254. Uda E., Nakamura O., Matsumoto S., Higuchi T. // IVESC'98/31.
       255. Vancil B.K., Mueller R.A., Steele E.R., Ohlinger W.L., Witucky E.G. // IVESC'98/39.
       256. Higuchi T., Matsumoto S., Koyama K., Hara A., Hamamoto H. // IVESC'98/109.
       257. Windes D., Dutkowski J., Kaiser R., Justice R. // IVESC'98/75.
       258. Ашкинази Л.А., Логинов Л.В. Термоэлектронные и вторично-электронные катоды. Часть 1. Информэлектро. Обзорная информация. Серия ТС-5. 1981. Часть 2. Информэлектро. Обзорная информация. Серия ТС-5. 1982.
       259. Ашкинази Л.А., Соболева Н.А. // Термоэлектронные, вторично-электронные и фотоэлектронные катоды. "Электроника". Итоги науки и техники ВИНИТИ. М. 1983. Т. 15. C. 155.
       260. Ашкинази Л.А. // Катоды для электровакуумных приборов СВЧ. "Электроника", Итоги науки и техники ВИНИТИ М. 1985. Т. 17. C. 311.
       261. Ашкинази Л.А., Коржавый А.П. Термоэлектронные и вторично-электронные катоды для ЭВП. М. ЦНИИ "Электроника". Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. 1986. вып. 8.
       262. Ашкинази Л.А. Термо- и вторично-электронные катоды для электровакуумных и газоразрядных приборов. М. ЦНИИ "Электроника". Обзоры по электронной технике. Серия 1. СВЧ-техника. 1992, вып. 5.
       263. Чагай Е.О., Ашхотов А.О., Керефов А.Х. Вестн. Каб.-Балк. гос. ун-та. Сер. физ. наук. 2006. N 10. С. 30.
       264. Зоркин А.Я., Зоркина О.А., Лемякин А.А. там же, С. 394.
       265. Зоркин А.Я., Жевалев О.Ю., Конюшков Г.В., Зоркина О.А. Актуальные проблемы электронного приборостроения. Мат. межд. науч.-техн. конф. Саратов. 20-21 сент. 2006. АПЭЛ-2006. Саратов. СГТУ. 2006. С. 389.
       266. Казенас Е.К., Есаулов Н.П., Цветков Ю.В., Волченкова В.А. 13 научн.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва, окт. 2006. Мат. конф. М. МИЭМ. 2006. С. 7.
       267. Каргин А.Н., Соколов А.М. там же, С. 273.
       268. Den Engelsen D., Gaertner G. Appl. Surf. Sci. 2006. V. 253. N 2. P. 1023.
       269. Лисенков А.А. Вак. техн. и технол. 2006. Т. 16. N 2. С. 153.
       270. Каргин А.Н., Соколов А.М. Радиотехника. 2007. N 3. С. 69.
       271. Билалов Б.А., Бурукин С.С., Глебовский В.Г., Кузнецов Г.Д., Маркин С.Н. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. Матер. докл. межд. науч.-метод. семинара, М., 28-30 нояб. 2006. МЭИ. 2007. С. 110.
       272.Смирнов В.А., Масленников О.Ю., Потапов Ю.А., Судаков Ю.С. Науч.-техн. конф. "Вак. наука и техн." М., сент. 2005. М. МИЭМ. 2005. С. 228.
       273. Зоркин А.Я., Лемякин А.А., Зоркина О.А. Вак. наука и техн., Матер. 14 науч-техн. конф. М., окт. 2007. М. МИЭМ. 2007. С. 287.
       274. Yang An-Ming, Xia Lian-Sheng, Zhang Huang, Zhang Kai-Zhi, Shi Jin-Shui, Deng Jian-Jun. Chin Phys. C 2008. V. 32. suppl. 1, P. 286.
       275. Маркин С.Н. Поверхностные процессы в современных термоэмиссионных катодах. Дисс. МИСИС. М. 2006.
       276. Li Yutao, Zhang Hongtai, Liu Pukin, Zhang Mingchen. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 126.
       277. Wang Shuguang. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 114.
       278. Hao Shiming, Nie Zuogen, Yang Jiancan, Xi Xioali. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 97.
       279. Liu Wei, Zhang Ke, Wang Yiman et al. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 80.
       280. Gaertner G., den Engelsen D. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 24.
       281. Poret F., Roquais J.M. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 31.
       282. Barber D.K., Jenkins S.N., Whiting M.J., Baker M.A. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 42.
       283. den Engelsen D., Gaertner G. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 50.
       284. Weon Byung Mook, Je Jung Ho. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 59.
       285. Vancil B.K., Wintucky E.G. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 101.
       286. Bondarenko G.G., Shishkov A.V. 13 Int. Symp. on High Current Electronics. Tomsk, 25-30 July.2004. P. 95.
       287. Gaertner G., Barratt D. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 251. N 1-4, P. 73.
       288. Shih A., Yater J.E., Hor C. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 242. N 1-2, P. 35.
       289. Hashim A.A., Ray A.K., Hassan A.K., Barratt D.S. Appl. Surf. Sci. 2005. V. 243. N 1-4, P. 421.
       290. Wang Jinshu, Li Lili, Liu Wei, Wang Yanchun, Wang Yiman, Zhou Meiling. J. Phys. and Chem. Solids. 2008. V. 69. N 8. P. 2103.
       291. Дюбуа Б.Ч., Култашев О.К., Половникова О.В. Электрон. Техн. Сер. 1. 2008. N 4. С. 3.
       292. Предмирский В.С., Твердохлеб Н.Г. Техн. И приб. СВЧ. 2008. N 1. С. 15.
       293. Wang Jinshu, Liu Wei, Gao Fei, Ren Zhiyuan, Zhou Meiling. Solid State Sci. 2009. V. 11. N 1. P. 85.
       294. Дюбуа Б.Ч., Михальченков А.Г., Половникова О.В., Темирязева М.П. Электрон. Техн. Сер. 1. 2010. N 1. С. 25.
       295. Wang Xigang, Song Hua, Wang Maolin, Ding Bingjun. Rare Metal Mater. And Eng. 2010. V. 39. N 11. P. 1928.
       296. Бех I.I., Вербицька О.В., Iльченко В.В., Лушкiн О.Е., Нагула П.О. Вiсн. Киiв. нац. ун-ту. 2008. N 4. С. 203.
       297. Stacey A., Prawer S., Rubanov S., Ahkvlediani R., Michaelson Sh., Hoffman A. Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. N 26. P. 262109/1.
       298. Воробьев М.Д., Юдаев Д.Н. Прикл. физ. 2010. N 5. С. 60.
       299. Лисенков А.А. и др. Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. N 8. С. 55.
       300. Ives R.L., Falce K.L., Miram G., Borchard P., Wilcox R., Gunther K., Curtis M., Schwartzkopf S., Witherspoon R. Strong Microwawes: Sources and Applications: Proc. of the 7 Int. Workshop. 2008. V. 1. Nizhny Novgorod, 2009. P. 178.
       301. Зоркин А.Я., Мясников А.С., Соловьев Р.В. 16 Научно-техническая конференция с участием зарубежных специалистов "Вакуумная наука и техника", Москва, 2009. Матер. конф. М. 2009. С. 295.
       302. Zhao J., Li Na, Li Ji, Barnett R., Banducci M., Gamzina D., Munir Z., Luhmann N. IEEE Tr. El. DeV. 2011. V. 58. N 4. P. 1221.
       303. Brodie I. IEEE Tr. El. DeV. 2011. V. 58. N 4. P. 1247.
       304. Vlahos V. , Booske J., Morgan D. Phis. ReV. B. 2010. V. 81. N 5. P. 054207/1.
       305. Коваленко Ю.А., Ермилов А.Н., Королев Д.С. Электрон. техн. Сер. 1. 2010. N 4. С. 24.
       306. Ли И.П., Петров В.С., Васильевский В.В., Гайдар А.И., Прокофьева Т.В. Изв. вузов. Электрон. 2012, N 6, С. 17.
       307. Корнюхин А.А. Наукоем. технол. 2012. 13. N 10. С. 29.
       308. Смирнов В.А., Акимов П.И., Мельничук Г.В., Фрейдович В.А., Чудин В.Г., Воробьев М.Д., Чирков М.Н., Шитов Е.М., Чубаров В.В., Саблин Д.М., Макаров А.П., Пугнин В.И., Шинцова В.В., Юнаков А.Н. Оборон. комплекс - науч.-техн. прогрессу России. 2012. N 4. С. 36.
       309. Wang Xiaoxia, Liao Xianheng, Lio Jirun et al. IEEE Trans. Electron Devices. 2012. 59. N 2. P. 491.
       310. Воробьев М.Д., Чирков М.Н., Чубаров В.В., Шитов Е.М., Акимов П.И. Оборон. комплекс - науч.-техн. прогрессу России. 2012. N 4. С. 40.
       311. Мельникова И.П., Лясников В.Н., Лясникова А.В. Физ. Волн. Процессов и радиотехн. Системы. 2012. 15. N 2. С. 84.
       312. Харитонова Н.Е., Ли И.П., Силаев А.Д., Поляков В.С., Бондаренко Г.Г. Труды 22 Межд. конф. "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 9-14 июля, 2012. М. 2012. С. 381.
       313. Смирнов В.А., Акимов П.И., Корнюхин А.А., Никитин А.П., Судаков Ю.С., Потапов Ю.С., Сапронов В.В. 18 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2011. С. 279.
       314. Алехина В.И., Ермилов А.Н., Королев Д.С., Королев С.В., Шапиро А.Л., Щелконогова Г.В. 19 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2012. С. 216.
       315. Алехина В.И., Ермилов А.Н., Королев Д.С., Королев С.В., Шапиро А.Л., Щелконогова Г.В. 19 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2012. С. 220.
       316. Мельникова И.П., Лясников В.Н., Лясникова А.В. Эл. техн. Сер. 1. 2012. N 1. С. 30.
       317. Бех И.И., Ильченко В.В., Лушкин А.Е. 17 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2010. С. 337.
       318. Кузьмич К.В., Масленников О.Ю., Омельченко А.О., Смирнов В.А. 17 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2010. С. 317.
       319. Ли И.П., Поливникова О.В. Эл. техн. Сер. 1. 2012. N 1. С. 21.
       320. Алехина В.И., Ермилов А.Н., Коваленко Ю.А., Королев С.В., Шапиро А.Л., Щелконогова Г.В., Шумилин А.П., Лучин А.А. 18 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2011. С. 272.
       321. Сахаджи Г.В., Конюшин А.В., Одинцова Ю.А. 17 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2010. С. 334.
       322. Поляков В.С., Ли И.П., Силаев А.Д., Петров В.С., Гайдар А.И. 18 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2011. С. 20.
       323. Таран А.А., Кислицын А.П. Авиац.-косм. техн. и технол. 2013. N 4. С. 95.
       324. Гагаринский А.В., Зоркин А.Я., Чесноков С.В. 18 Науч.-техн. конф. с участием заруб. спец. "Вакуумная наука и техн." М-ва. 2011. С. 297.
       325. Liu Yan-Wen, Tian Hong, Han Yong, Liu Pu-Kun, Lu Yuxin. IEEE Trans. 2012. V. ED59. N 12. P. 3618.
       326. Bhattacharya Ranajoy, Khatun Hasina, Singh Narendra Kr., Singh Udaybir, Sinha A.K. Frequenz. 2013. V. 67. N 5-6. P. 163.
       327. Zhang Min, Wang Xiaoxia, Luo Jurin, Zhao Qinglan, Liao Xianheng. IEEE Trans. 2011. V. ED58. N 7. P.2143.
       328. Лоян А.В., Титов М.Ю., Солонинке Е.П. Авиац.-косм. техн. и технол. 2013. N 7. С. 112.
       329. Wan Congshang, Kordesch Martin E.J. J. Vac. Sci. and Technol. B. 2013. V. 31. N 1. P. 011210/1.
       330. Wang Jinshu, Lai Chen, Liu Wei, Yang Fan, Zhang Xizhu, Cui Yuntao, Zhou Mriling. Mater. Res. Bull. 2013. V. 48. N 9. P. 3594.
       331. Yin Shengyin, Zhang Zhaochuan, Peng Zhen, Zheng Qiang, Wang Yu. IEEE Trans. 2013. V. ED60. N 12. P.4258.
       332. Справочник по вакуумной электронике. Компоненты и устройства. Под ред. Дж.Айхмайера, М.Тамма. М., Техносфера, 2011.
       333. Дюбуа Б.Ч., Земчихин Е.М., Култашев О.К., Макаров А.П., Негирев А.А., Поливникова О.В., Рожков С.Е. Эл. техн. Сер. 1. 2013. N 4. С. 194.
       334. Поляков В.С., Ли И.П., Скрипкин Н.И., Силаев А.Д., Харитонова Н.Е. 20 Юбилейная Науч.-техн. конф. "Вак. наука и техн." М-ва, 2013. М. 2013. С. 240.
       335. Ли И.П., Петров В.С., Поляков В.С., Силаев А.Д., Харитонова Н.Е., Минин А.А., Гайдар А.И. Изв. вузов. Эл-ка, 2014. N 3. С. 30.
       336. Ли И.П., Поляков В.С., Силаев А.Д., Минин А.А., Харитонова Н.Е. Эл. техн. Сер. 1. 2013. N 4. С. 170.
       337. Соколов А.М. Эл. техн. Сер. 1. 2013. N 4. С. 191.
       338. Корнюхин А.А., Крылов А.В., Масленников О.Ю., Сигалова Т.К. Наукоемк. технол. 2014. Т. 15. N 7. С. 25.
       339. Силаев А.Д., Ли И.П., Минин А.А., Поляков В.С., Харитонова Н.Е. 20 Юбилейная Науч.-техн. конф. "Вак. наука и техн." М-ва, 2013. М. 2013. С. 238.
       340. Гилмор-мл. А.С. Лампы с бегущей волной. Техносфера. М. 2013.
       341. Прокофьева Т.В. Научно-техн. конф. студ., асп и мол. спец. МИЭМ НИУ ВШЭ М., 2014. С. 246.
       342. Voronovich D.A., Taran A.A., Shitsevalova N.Yu., Levchenko G.V. et al. Funct. Mater. 2014. V. 21. N 3. P. 266.
       343. Харитонова Н.Е. Научно-техн. конф. студ., асп. и мол. спец. МИЭМ НИУ ВШЭ М., 2014. С. 223.
       344. Ли И.П., Леденцова Н.Е., Поляков В.С., Силаев А.Д. и др. Наукоемк. технол. 2014. Т. 15. N 11. С. 32.
       345. Поляков В.С., Силаев А.Д., Леденцова Н.Е., Ли И.П. и др. Наукоемк. технол. 2014. Т. 15. N 11. С. 51.
       346. Белова И.К., Жданов С.М., Томилин Н.А. Наукоемк. технол. 2014. Т. 15. N 10. С. 21.
       347. Дюбуа Б.Ч., Поливникова О.В. Эл. техн. Сер. 1. 2013. N 4. С. 187.
       348. Бурцев А.А., Григорьев Ю.А., Навроцкий И.А., Роговин В.И., Сахаджи Г.В., Шумихин К.В. Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. N 10. С. 92.
       349. Каргин А.Н., Соколов А.М. Эл. техн. Сер. 1. 2015. N 4. С. 13.
       350. Ли И.П., Калушин С.В. Электрон.: Наука, технология, бизнес. 2015. N 1. С. 72.
       351. Иванов М.М., Карелин В.И., Горохов В.В., Чернышов В.А. и др. Приборы и техника эксперимента. 2016. N 1. С. 135.
       352. Капустин В.И. и др. Эл. техн. Сер. 1. 2016. N 1. С. 8.
       353. Капустин В.И. и др. Матер. межд. науч.-техн. конф. "INTERMATIC-2015". М., 2015, Ч. 2. С. 22.
       354. Капустин В.И. и др. Электромагн. волны и электрон. сист. 2016. Т. 21. N 1. С. 66.
       355. Barik R.E. et al. IEEE Trans. 2016. ED63. N 4. P. 1715.
       356. Капустин В.И. и др. ЖТФ. 2017. Т. 87. N 1. С. 106.
       357. Есаулов Н.П. Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21. N 5. С. 58.
       358. Yang F. et al. IEEE Trans. 2016. V. ED63. N 4. P. 1728.
       359. Kowalczyk J. M. D. Int. J. Thermophys. 2014. V. 35. N 3. P. 1538.
       360. Лисенков А.А. и др. Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. N 8. С. 55.
       361. Капустин В.И. и др. Матер. межд. науч.-техн. конф. "INTERMATIC-2015". М., 2015, Ч. 2. С. 18.
       362. Капустин В.И. и др. Эл. техн. Сер. 1. 2016. N 2. С. 54, 55, 68.
       363. Бушуев Н.А. и др. Успехи соврем. науки. 2016. N 10. Ч. 2. С. 126.
       364. Wang J. et al. IEEE Trans. 2015. V. ED62. N 5. P. 1635.
       365. Капустин В.И. и др. Письма ЖТФ. 2017. Т. 43. N 19. С. 12.
       366. Yongjun H. et al. Curr. Appl. Phys. 2016, V. 16, N 10, P. 1431.
       367. Shukla S.K. et al. IEEE Trans. 2016. V. ED63. N 12. P. 4975.
       368. Горелова Е.Г. Межвуз. науч.-техн. конф. студ., асп. и мол. спец. им. Е.В.Арменского, Москва, 2017, Матер. конф. М. 2017, С. 293.
       369. Ли И.П. и др. Пат. 2579006 Россия МПК H01J 25/00.
       370. Макаров А.П. и др. Эл. техн. Сер. 1. 2016. N 4. С. 15.
       371. Капустин В.И. и др. ЖТФ. 2018. N 3. С. 472.
       372. Сахаджи Г.В. и др. Радиотехника. 2017. N 7. С. 60.
       373. Мазин А.В. и др. Вопросы радиоэлектроники. 2017. N 11. С. 10.
       374. Zhou Qunfei et. al. J. Vac. Sci. Technol. A. 2017. V. 35. N 2. P. 021601/1.
       375. Крачковская Т.М., Мельников М.А. Письма ЖТФ. 2018. N 22. С. 11.
       376. Жабин Г.А. и др. Эл. техн. Сер. 1. 2017. N 4. С. 15.
       377. Тищенко О.Д. и др. Фундам. Исслед. 2018. N 3. С. 18.
       378. Смирнов В.А. и др. Вакуумная наука и техн. Матер. 23 Науч.-техн. Конф. НИИ вак. техн. М. 2016. С.278.
       379. Капустин В.И. и др. Вакуумная наука и техн. Матер. 23 Науч.-техн. Конф. НИИ вак. техн. М. 2016. С.297.
       380. Капустин В.И. и др. Вакуумная наука и техн. Матер. 23 Науч.-техн. Конф. НИИ вак. техн. М. 2016. С.287.
       381. Симонов К.Г. и др. Эл. техн. Сер. 1. 2017. N 3. С. 34.
       382. Алякринский О.Н. и др. 2 Всеросс. науч.-практ. конф. "Науч. приборостроение: совр. сост. и персп. разв." Казань, 2018, 274.
       383. Lai Chen et al. Appl. Surf. Sci. 2018. V. 427. P. 874.
       384. Горелова Е.Г. Труды 28 Межд. конф. "Радиационная физика твердого тела". Севастополь. 2018. М. 2-18. С. 308.
       385. Капустин В.И. и др. ЖТФ. 2019. N 5. с. 771.
      
       Advances in the Area of Thermionic Cathodes and Secondary-Emission Cathodes in 1990 - 2018
      
       L.A. Ashkinazi
      
       This review continues the series of reviews [258-262] that cover the history of cathode science and technology since 1970s, and it describes the advances of the latest period.
  • Комментарии: 1, последний от 24/07/2019.
  • © Copyright Ашкинази Леонид Александрович (leonid2047@gmail.com)
  • Обновлено: 17/08/2019. 94k. Статистика.
  • Руководство: Техника
    •  Ваша оценка:
    Связаться с программистом сайта.